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Un dispositivo elettronico basato su una eterostruttura bidimensionale, ovvero dello spessore di un singolo atomo, è stato realizzato per la prima volta nell'ambito di una ricerca internazionale cui ha partecipato l'Università di Pisa.

Il minuscolo transistor, spiega una nota dell'Ateneo, è "il frutto di una collaborazione internazionale tra Università di Pisa, Cnr, Istituto catalano delle nanoscienze e delle nanotecnologie e Università di Tokyo".

La realizzazione è stata resa possibile con una tecnologia sviluppata dall'Ateneo giapponese, in grado di modificare le proprietà elettriche del Bisolfuro di Molibdeno da semiconduttore a metallo, tramite un raggio di elettroni ad alta energia.

Le simulazioni a livello atomistico effettuate dall'Università di Pisa (da Teresa Cusati, Gianluca Fiori e Giuseppe Iannaccone) e dal Cnr pisano (Alessandro Fortunelli), oltre a fornire spiegazioni sugli effetti osservati a livello macroscopico, hanno permesso di prevedere il comportamento elettrico del dispositivo fabbricato.

"La tecnologia sviluppata, sia dal punto di vista della fabbricazione, che di quello della simulazione - sottolinea Fiori - mette le basi per il raggiungimento di nuovi traguardi nel campo dell'elettronica bidimensionale, considerata sia in ambito scientifico che industriale come una tecnologia promettente per ottenere transistor flessibili e a basso consumo".

sda-ats

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