外部内容

下面的内容来自我们的合作伙伴,因此我们不能保证这些内容能够正常显示。

(法新社旧金山28日电) 英特尔(Intel)与美光科技公司(Micron Technology)今天发表1种新型记忆体晶片,据说速度比NAND Flash快1000倍,可能对运算装置、服务与应用带来革命性的变革。

总公司都设在美国的英特尔与美光表示,3D XPoint晶片是1989年NAND Flash(储存型快闪记忆体)上市之后,25年来市面首见的主流存储晶片,速度比NAND Flash快1000倍,储存资料的密度也比传统记忆体高出10倍,被誉为「重大突破」。

3D XPoint晶片已在制造之中,预计今年稍晚就能把样本送给潜在客户。

英特尔资深副总克罗希(Rob Crooke)表示:「数十年来,业界都在寻找降低处理器与资料间lag时间的方法,容许更快速的分析。」

「这种新等级的非挥发性记忆体达到这个目标,对记忆体与储存解决方案带来改变游戏规则的表现。」(译者:中央社郑诗韵)

法新社