Memorie magnetiche ad altissima densità dal Politecnico di Zurigo
I ricercatori del laboratorio svizzero hanno messo a punto una nuova tecnica, più veloce e più precisa della tradizionale, che permetterà di aumentare sensibilmente la capacità degli hard disk e dei dischetti.
Proprio quando le memorie magnetiche dei computer sembravano superate, destinate ad essere sostituite dai dispositivi ottici, più capienti e veloci, un gruppo di ricercatori del Laboratorio di Fisica dello Stato Solido del Politecnico di Zurigo ha messo a punto una nuova tecnica per aumentare lo spazio disponibile e rendere più rapida la scrittura dei dati su hard disk e dischetti. La notizia è apparsa sulle pagine della rivista Science.
Un nastro magnetico vergine è un sottile strato di microscopici magneti, tutti orientati nella stessa direzione. I dispositivi usati oggi per registrare le informazioni impiegano correnti elettriche che modificano l’orientamento di alcune particelle sulla superficie del nastro e creano una traccia magnetica, che in seguito può essere letta e decifrata. Questo metodo ha un limite: lo spessore dello strato di particelle non può scendere al di sotto di un milionesimo di metro. Altrimenti, la corrente usata per incidere una traccia danneggerebbe le altre memorie registrate sullo stesso supporto. Se fosse possibile ridurre ulteriormente lo spessore dello strato, la capienza del supporto aumenterebbe.
I ricercatori del Politecnico di Zurigo hanno sperimentato con successo una nuova tecnica per modificare l’orientamento delle particelle magnetiche. Hanno prodotto un sottile fascio di elettroni polarizzati, cariche elettriche che ruotano come trottole e hanno l’asse di rotazione orientato nella stessa direzione. Quindi hanno iniettato il fascio di elettroni perpendicolarmente attraverso un nastro magnetico. Per un meccanismo fisico conosciuto come “trasferimento di spin”, le microscopiche trottole hanno ceduto il loro orientamento alle particelle del supporto, creando una traccia magnetica.
Questo sistema, più preciso e anche più veloce di quello tradizionale, permette di registrare i dati su uno strato di particelle dello spessore di un miliardesimo di metro e di produrre dispositivi di memoria molto più capienti.
Maria Cristina Valsecchi
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